Search academic texts

Registration Number

0493U000785, Candidate dissertation

Title

Author

Мекекечко Александр Юрьевич,

popup.head Коваленко А.В.
popup.opponent Ковалюк З.Д.
popup.opponent Савчук А.И.

Status

к.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Date

21-05-1993

Description

Объект исследования: Эпитаксиальные слои ZnSe, ZnS, ZnSxSe1-x на подкладке GaAs(100) и квантово-размерные структуры на их основе. Цель исследования: Исследования технологии выращивания высококачественных эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур; изучение влияния лазерного действия на механизм роста. Методы исследования и аппаратура: Рентгеноструктурный анализ: Дрон 2.06 фотолюминисцентный анализ5 ДФС, КАМАК, ФЕП; электронная микроскопия; газофазная система. Теоретические результаты и новизна: Впервые сделаны исследования фотостимулированного роста газовой фазы соединения ZnSe; предложена модель процесса фотостимулированного синтеза селенида цинка. Практические результаты и новизна: Разработанные средства получения высококачественных эпитаксиальных пленок и квантово-размерных структур на основе халькогенидов цинка по технологии фотостимулированной эпитаксии. Предмет и степень внедрения: Многофункицональные покрытия на поверхностти солнечных элементов. Внедрение планируется. Сфера (область) использования: Электроника и микроэлектроника.