Search academic texts

Information × Registration Number 0212U005377, 0111U006258 , R & D reports Title Physical fundamentals of processes of formation semiconducting nanostructures for devices of electronics and photonics popup.stage_title Head Skryshevsky Valeri, Доктор фізико-математичних наук Registration Date 21-08-2012 Organization Taras Shevchenko Kiev university popup.description2 A DLTS technique with imporoved precision of parameters determination of deep level centers having close activation energy and different cross-section for charge carriers has been designed. Fabrication processes of hedrogen contaning silicon and porous silicon powders have been optimized. Correlation between adsorption-desorption dynamics and time dependant change of parameters for nanocomposite silicon structures were determined. Possibility to create the nanocomposite films with Si nanoclasters sn dielectric SiO2 matrix by ion-plasma sputtering has been shown. Technology for A3B5 on Si structures fabrication in optoelectronics devices applications has been created. Product Description popup.authors Іванов Іван Іванович Ільченко Володимир Васильович Братусь О. Бунак С. Вербицький Володимир Григорович Гаврильченко Ірина Валеріївна Евтух Анатолій Антонович Козинець Олексій Володимирович Козонущенко Олександр Іванович Кот Олександр Олександрович Кузнецов Геннадій Васильович Лисоченко Сергій Васильович Литвиненко Сергій Васильович Манілов Антон Ігоревич Опилат Віталій Яковлевич Скришевсткий Валерій Антонович Третяк Олег Васильович Усенко Володимир Олексійович Шкавро Анатолій Григорович Шулімов Юрій Григорович popup.nrat_date 2020-04-02 Close