Search academic texts

Information × Registration Number 0224U033361, (0123U102785) , R & D reports Title Hierarchical nanoscale plasma texturing of silicon wafers for future solar energy popup.stage_title Відпрацювання на кремнієвих пластинах сонячної якості стандартного розміру оптимальних режимів батутної модифікації поверхні пластин із попереднім видаленням дефектного шару, який утворюється внаслідок розрізання зливків на пластини з використанням «алмазного» дроту. Теоретичне дослідження ієрархічних нано- та мікро-структур, які утворюються та забезпечують максимальне поглинання енергії сонячного випромінювання на поверхні чорного кремнію. Підготовка та надсилання до друку в профільному журналі квартилів 1, 2 наукової роботи. Оформлення заключного звіту. В тому числі, співвиконавець: Відпрацювання на кремнієвих пластинах сонячної якості стандартного розміру оптимальних режимів батутної модифікації поверхні пластин із попереднім видаленням дефектного шару, який утворюється внаслідок розрізання зливків на пластини з використанням «алмазного» дроту. Head Sydorenko Serhii I., д.ф.-м.н. Registration Date 25-12-2024 Organization National Technscal University of Ukraine "Kiev Polytechnic Institute". popup.description1 The goal of the project is the development of high-performance environmentally friendly processes of ion-plasma hierarchical two-level nanoscale texturing of the surface of multi- and monocrystalline silicon wafers to achieve 1-3% of the solar radiation energy reflection coefficients, while preserving the life time of minor charge carriers after trampoline treatment, regardless of the orientation of the silicon crystallographic axes. popup.description2 According to the schedule at stage No. 3, based on theoretical studies of various cases of structuring the surface of silicon single crystals, structural transformations in the surface layers of a semiconductor sample at the trampoline processing stage were simulated. It was determined that the use of copper as an initiator metal ensures the formation of black silicon structures with preservation of the lifetime of minor additional charge carriers. The principle possibility of uniform texturing of the surfaces of large-sized silicon wafers to the state of black silicon with preservation of the lifetime of minor charge carriers in environmentally friendly ion-plasma processes under the conditions of the trampoline mode is shown. Environmentally friendly trampoline processes for forming black silicon structures are suitable for modifying single-crystal wafers with hole and electron conductivity and multi-crystal silicon wafers to the black silicon state. Product Description popup.authors popup.nrat_date 2024-12-25 Close