Search academic texts

Information × Registration Number 0303U003169, 0102U000331 , R & D reports Title Influence of the inhomogenous-strained semiconductor surface on properties of contact of surface-barrier Shottky structures popup.stage_title Побудова гамільтоніану моделі, яка враховує вплив морфології поверхні напівпровідника на властивості контакту Head Peleschak R.М., Registration Date 18-02-2003 Organization Drohobych Ivan Franko State Pedagogical University popup.description2 The Hamiltonian of the model of the metal - strained semiconductor crystal structure is proposed. It is shown that a surface barrier at the junction of metal - semiconductor contact is basically formed by a deformed relief of semiconductor. The conditions of transformation of contact properties from ohmic to non-ohmic and vice versa, due to deformation of the surface of semiconductor are established. 5635 Використовується метод самоузгодженого електрон-деформаційного зв'язку для опису зміни випрямних властивостей контакту метал - деформований напівпровідник.5635 Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close