Search academic texts

Information × Registration Number 0304U002250, 0104U002424 , R & D reports Title The four-element silicon p-i-n photodiode development popup.stage_title Розробка КД і ТД , виготовлення спеціального технологічного та випробувального оснащення,виготовлення дослідних зразків та їх випробовування, розробка проекта ТУ. Head Eugen V.Komarov ., Registration Date 10-03-2004 Organization RHYTHM OPTOELECTRONICS Inc popup.description2 Is built hermetic silicon p-i-n the photodiode about a general(common) dia фоточуствительных of members of 14 mms. Are conducted exploratory and qualification tests. The complete sets of CD and ТД are designed. The photodiode can be used in optoelectronic instrumentation of miscellaneous assigning as the receiver of electromagnetic radiation with длиною of a surge from 0,45 up to 1,1 microns and modulating frequency from 0 up to 10 MHz and transformation(conversion) it(him) in an electrical signal. The range of operation temperatures from a minus 60 up to 85 hailstones(deg) С. Імпульсная monochromatic current чуствительность on a wavelength 1,06 microns is not less 0,25 And / вт .Емкость at (Uроб=135 В) no more than 15 items. The series production started. Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close