Search academic texts

Information × Registration Number 0306U008073, 0104U008906 , R & D reports Title Topology development and investigation of the HgCdTe photodiodes parameters, obtained by ion-beam etching. popup.stage_title Розробка топології та дослідження параметрів фотодіодних приймачів на основі CdHgTe, одержаних йоннно - променевим травленням Head Sizov F.F., Registration Date 26-09-2006 Organization V.Laskaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine popup.description2 Developed the constructions, the requirements, the topologizings and the photomasks for production the multiple-unit photodetector. Investigated the operation factors made sensor.5635 Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close