Search academic texts

Information × Registration Number 0309U000043, 0106U001622 , R & D reports Title The electrical tuning of Si/SiGe quantum well generation and absorption THz spectra. popup.stage_title Відпрацьовування технології нанесення польових контактів на Si/Gex Sil-x гетероструктури для проведення вимірів у поперечному електричному полі. Виміри латеральних ВАХ ?-легованих квантових ям у поперечних електричних полях. Розрахунок матричних елементів для різних типів оптичних переходів у повздовжньому і поперечному електричному полях Head Tulupenko Viktor N., Registration Date 14-01-2009 Organization Donbass State Engineering Academy popup.description2 Current-voltage measurements in longitudinal fields did not show the dependence of the results on the polarity and magnitude (up to 2500V) of the applied transversal field for delta-doped to the center and to the edge Si/SiGe quantum wells. New technique of calculation of the impurity binding energy in transversal electric field is proposed. Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close