Search academic texts

Information × Registration Number 0311U003161, 0110U006437 , R & D reports Title Development of the design and technological scheme for manufacturing mesa structure of Si high voltage microwave pin diodes with SiC protection popup.stage_title "Розроблення конструкції та технологічної схеми виготовлення меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ pіn діодів з захистом SіC" Head Lichvan K., Registration Date 14-02-2011 Organization State Scientific-Reseach Institute "Orion" popup.description2 Design and flow sheets of making mesa-structure of silicon high-voltage microwave pіn diodes with protective coating formed on basis of high resistance layers of nano-cristalline SiC which provides high reliability of construction and to the flow-sheet have been developed. Product Description popup.authors Болтовець М.С. Голинна Т.І. Коростинська Т.В. Кривуца В.А. Миколаєнко В.І. Ноєнко В.Г. Слєпова О.С. Суворова Л.М. Урицька Н.Я. popup.nrat_date 2020-04-02 Close