Search academic texts

Information × Registration Number 0400U000336, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 23-12-1999 popup.evolution o Title Anisotropy of the dielectric properties, p,T,E-diagram and crytical behaviour of the Sn2P2S6 crystals under high pressures Author Kedyulych Viktor Mykhajlovych, popup.head Герзанич Омелян Іванович popup.opponent Довгошей Микола Іванович popup.opponent Левицький Роман Романович Description Сегнетоелектрик-напівпровідник Sn2P2S6 .Комплексні дослідження впливу температури, тиску та електричного поля на діелектричні властивості Sn2P2S6 в різних кристалографічних напрямках. Експериментальні дослідження діелектричних параметрів на базі автоматизованої установки та аналіз отриманих результатів. Встановлено вид та особливості вказівних поверхонь діелектричної проникності і тангенса кута діелектричних втрат. Побудовано р,Т,Е-діаграму кристала Sn2P2S6 та описані її особливості. Проведено аналіз поведінки костанти Кюрі-Вейса вздовж фазової р,Т-діаграми і визначено критичний індекс діелектричної проникності в околі точки Ліфшиця. Результати можуть бути використані в фізиці сегнетоелектриків. Registration Date 1999-12-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close