1 documents found
Information × Registration Number 0400U001684, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 16-06-2000 popup.evolution o Title X-ray diffraction investigation of structural perfection changes of the dislocation-free silicon crystals under the influence of ion radiation, annealing and hydrostatic pressure. Author Mel'nyk Vasyl' Mykhajlovych, popup.head Мачулін В.Ф. popup.opponent БабичВ.М. popup.opponent Кисловський Є.М. Description 1 Робота присвячена дослідженню закономірностей динамічної теорії дифракції рентгенівських променів по Брегу на кристалах, які містять різноманітні спотворення структури під дією різних фізичних факторів. Застосовувaлись методи, які базуються на аналізі інтегральних відбиваючих здатностей та профілів просторового розподі-лу дифрагованої інтенсивності рентгенівських променів.За допомогою рентгенівських дифрактометричних дос-ліджень доведено, що високотемпературне гідростатичне стискування погіршує стан структурної досконалостікремнієвих кристалів. Registration Date 2000-06-16 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
Mel'nyk Vasyl' Mykhajlovych. X-ray diffraction investigation of structural perfection changes of the dislocation-free silicon crystals under the influence of ion radiation, annealing and hydrostatic pressure. : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2000-06-16; popup.evolution: .; Institute of Semiconductor Physics. – , 0400U001684.
1 documents found

Updated: 2026-03-27