Search academic texts

Information × Registration Number 0400U001704, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 01-06-2000 popup.evolution o Title Development of silicon photo diodes of increased reliability Author Dobrovol's'kij Yurij Georgijovych, popup.head Ащеулов Анатолій Анатольович popup.opponent Смеркло Любомир Михайлович popup.opponent Ковалюк Захар Дмитрович Description Об'єкт дослідження - фотодіоди на основі кремнію Мета дослідження- аналіз факторів, впливаючих на темновий струм p-i-n фотодіо- дів з високоомного кремнію і радіаційну стій- кість фодіодів з кремнієв. епітакс. структ., і розробка кремнієв. фотодіодів підв. надійн. Методи дослідження-фіз. модел. експер.досл Новизна-розроблено новий підхід до констру- ювання кремнієвих p-i-n фотодіодів та радіа- ційно-стійких фотодіодів підв. надійності. Ступінь упровадження - нові конструкції впроваджено у виробництво. Сфера викорис- тання - оптоелектронне приладобудування Registration Date 2000-06-01 popup.nrat_date 2020-04-04 Close