Search academic texts

Information × Registration Number 0400U001924, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 21-06-2000 popup.evolution o Title Effect of neutron and ionizing irradiation on physical properties of silicon structures. Author Anokhin Igor Yevgenovych, popup.head Зінець Олег Сергійович popup.opponent Саченко Анатолій Васильович popup.opponent Крайчинський Анатолій Миколайович Description Теоретично досліджено поведінку рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному особливо чистому кремнії при опроміненні його швидкими нейтронами та вплив неоднорідного розподілу електричного поля на процеси збирання зарядів в кремнієвих стрип-детекторах при опроміненні їх короткопробіжними частинками. Показано, що ефект стабілізації рівня Фермі при нейтронному опроміненні високоомного кремнію можна пояснити виникненням стабільного багатозарядного амфотерного центру (дивакансії), який при великих дозах опромінення стає домінуючим. Показано, що зміна рівноважного питомого опору кремнію під дією опромінення при дозах більших 2-3 кРад дає основний внесок в зсув вольт амперних характеристик p-i-n діодів. Розраховано розподіл електричного поля в позиційно-чутливих кремнієвих стрип-детекторах. Показано, що для частинок, які падають у проміжок між смужками, точність визначення координат істотно залежить від геометрії детектора та розподілу електричного поля. Отримані результати були використа ні при розробці нового класу аварійних нейтронних дозиметрів, які знайшли практичне застосування в ІЯД НАНУ та на ЧАЕС, використовувались для визначення полів іонізуючих випромінювань на прискорювачі в ЦЕРНІ. Registration Date 2000-06-21 popup.nrat_date 2020-04-04 Close