Search academic texts

Information × Registration Number 0400U002808, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-10-2000 popup.evolution o Title Influence of isovalent impurity of tin on thermal and radiation creation of defects in silicon Author Kras'ko Mykola Mykolajovych, popup.head Крайчинський Анатолій Миколайович popup.opponent Бабич Вілік Максимович popup.opponent Литовченко Петро Григорович Description В роботі представлено результати експериментального дослідження впливу ізовалентної домішки олова на електрофізичні властивості кремнію при термо- та радіаційних обробках. Встановлено вплив легування кремнію ізовалентною домішкою олова на процеси утворення і відпалу радіаційних і термічних дефектів. Показано, що в кремнії з оловом зменшується енергія активації утворення та відпалу термодонорів, які утворюються в процесі термообробки при 450 0С. Запропоновано модель вливу олова на перебіг процесів утворення термодонорів, яка припускає існування метастабільного дефекту олово-кисень. Побудовано теорію кінетики утворення термодонорів як в зразках з оловом, так і без нього. Показано також, що при протонному (61 МеВ) опромінюванні вводяться два акцепторних електронних рівні, які пов'язані з оловом і належать одному радіаційному дефекту, до складу якого входить вакансія. Виявлено, що радіаційні дефекти, які відповідають за зміну часу життя носіїв струму при гама-опроміненні, в n-Si<Sn> є термостабільніші ніж в n-Si без Sn. Registration Date 2000-10-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close