1 documents found
Information × Registration Number 0400U002899, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 23-10-2000 popup.evolution o Title The gas sensitivity of the surface - barrier structures based on silicon, gallium arsenide and cadmium sulphide with superthin films of the titanium and nickel Author Bomk Oleg Josypovych, popup.head Ільченко Василь Васильович popup.opponent Вашпанов Юрій Олександрович popup.opponent Яковкін Іван Миколайович Description Мета роботи - з'ясування можливостей використання поверхнево-бар'єрних структур з надтонкими плівками металу в якості перетворювачів сигналу від газового середовища та встановлення фізичних процесів, що обумовлюють його вплив на електрофізичні параметри. Методи дослідження - вольт-амперні, вольт-ємнісні характеристики, визначення питомого опору плівок металу, моделювання процесів адсорбції, атомно - силова мікроскопія. Досліджено чутливість поверхнево-бар'єрних структур на основі Si, GaAs та CdS з надтонкими плівками титану та нікелю до аміаку, вуглекислого газу, криптону, водного розчину аміаку і парів води; встановлено її основні механізми. Запропоновано фізичні методи аналізу впливу газового середовища на властивості гетерофазних поверхнево-бар'єрних структур. Сфера застосування - напівпровідникова електроніка. Registration Date 2000-10-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
Bomk Oleg Josypovych. The gas sensitivity of the surface - barrier structures based on silicon, gallium arsenide and cadmium sulphide with superthin films of the titanium and nickel : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : presented. 2000-10-23; popup.evolution: .; Taras Shevchenko Kiev University. – , 0400U002899.
1 documents found

Updated: 2026-03-24