Search academic texts

Information × Registration Number 0400U002947, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 20-10-2000 popup.evolution o Title Internal photoeffect in metal/semiconductor junction with microrelief interface Author Mamykin Sergij Vasyl'ovych, popup.head Дмитрук М.Л. popup.opponent Пасічник Ю. А. popup.opponent Ширшов Ю.М. Description Фоточутливі поверхнево-бар'єрні структури типу діодів Шоткі з мікрорельєфною межею поділу, на основі напівпровідникiв - GaAs та InP. Дослідити їх оптичні, фотоелектричні та електрофізичні властивості. Методи: спектральні та кутові залежностi фотоструму, вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики, вимірювання пропускання/відбивання поляризованого світла, атомно-силова мікроскопія, багатокутова еліпсометрія. Досліджено вплив підсилення електростатичного та електродинамічного поля, ефекту електропоглинання світла (Франца-Келдиша) на електрофізичні та фотоелектричні характеристики діодів Шоткі. З'ясовано вплив мікропрофілювання та пасиваційних обробок на рекомбінаційні характеристики меж поділу метал-напівпровідник, а також їх деградаційна стабільність. Запропоновано нову методику характеризації поляритонних фотодетекторів за допомогою поверхневого плазмового резонансу.Створено високочутливий сенсор компонент рідинних середовищ на основі резонансного явища - збудження поверхневих плазмових поляритонів на структурах метал-напівпровідник з мікрорельєфом типу дифракційної гратки. Registration Date 2000-10-20 popup.nrat_date 2020-04-04 Close