Search academic texts

Information × Registration Number 0401U000414, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 12-01-2001 popup.evolution o Title Influence of size effects on the electrophysical properties of GaAs structures with deep traps Author Kovalenko Yurij Anatolijovych, popup.head Горєв Микола Борисович popup.opponent Кудзін Аркадій Юрійович popup.opponent Ямпольський Валерій Олександрович popup.opponent Коваленко Олександр Володимирович Description Дисертацію присвячено дослідженню впливу розмірних ефектів, обумовлених наявністю глибоких центрів захоплення, на електрофізичні властивості тонкоплівкових арсенідгалієвих структур. Розроблено числові методи розрахунку низькочастотної бар'єрної ємності структури тонка плівка -- буферний шар -- підкладка та бар'єрної ємності гетероструктури AlGaAs/GaAs з селективним легуванням. Запропоновано фізичний механізм появи аномальної ділянки росту на низькочастотній вольт-фарадній залежності таких структур. Розроблено модель захоплення носіїв з плівки на глибокі центри буферного шару та підкладки арсенідгалієвої структури. Розроблено числовий метод розрахунку домішкової фотопровідності структури плівка--підкладка в умовах зворотного керування. Запропоновано новий механізм домішкової фотопровідності в умовах зворотного керування. Розроблено методику та прилад для вольт-фарадної діагностики глибоких центрів в тонкоплівкових структурах. Registration Date 2001-01-12 popup.nrat_date 2020-04-04 Close