Search academic texts

Information × Registration Number 0401U002197, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 15-06-2001 popup.evolution o Title Plasmon resonance in multilayer diffraction gratings on the GaAs or InP semiconductor surface Author Yastrubchak Oksana Bogdanivna, popup.head Дмитрук М.Л. popup.opponent Корбутяк Д.В. popup.opponent Гнатенко Ю.П. popup.opponent Шайкевич І.А. Description Мета роботи - всебічний аналіз та оптимізація умов збудження та поширення поверхневих плазмових поляритонів в багатошарових твердотільних системах, створених на основі ДГ на поверхні монокристалів GaAs та InP, в залежності від оптичних, морфологічних і структурних властивостей цих систем. Розроблено технологічні процеси виготовлення різних типів мікрорельєфів (невпорядкованих, квазіперіодичних (квазіграток) та строго періодичних (дифракційних граток)) на поверхні монокристалів GaAs та InP. Використано концепцію фракталів як міст між впорядкованими (періодичними) та невпорядкованими (випадковими) профільованими поверхнями і охарактеризовано в рамках єдиної математичної моделі різні типи мікрорельєфів. Показано, що збільшення загасання та зменшення довжини поширення поверхневих плазмових поляритонів визначаються в основному поверхневою шорсткістю дифракційної гратки, що кількісно описується також величиною фрактальної розмірності. Було визначено оптичні, геометричні та структурні параметри багатошарових дифракційних граток, які сприяють максимальному перетворенню падаючого p-поляризованого світла з ультрафіолетової, видимої та ближньої інфрачервовоної спектральної області в хвилю поверхневого плазмового поляритона. На основі виготовлених багатошарових дифракційних граток було розроблено фотодетектори та сенсори хімічних речовин. Показано, що використання явища поляризаційної конверсії в розроблених пристроях створює додаткові можливості для підвищення їхньої ефективності та чутливості. Registration Date 2001-06-15 popup.nrat_date 2020-04-04 Close