Search academic texts

Information × Registration Number 0401U002529, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 21-09-2001 popup.evolution o Title The preliminary irradiation influence on the oxygen precipitation and radiation hardness of silicon for the nuclear radiation detectors. Author Lytovchenko Oleksij Petrovych, popup.head Сугаков Володимир Йосипович popup.opponent Корбутяк Дмитро Васильович popup.opponent Федчук Ігор Михайлович popup.opponent Ковалюк Захар Дмитрович Description Об'єкт дослідження: кінетика преципітації кисню в опроміненому Si, вплив попереднього опромінення на радіаційну стійкість Si, характеристики детекторів ядерних випромінювань. Мета: дослідження впливу попереднього опромінення на преципітацію O2 в Si та розробка методів підвищення радіаційної стійкості Si для детекторів ядерних випромінювань. Методи досліджень: вимірювання оптичного поглинання у Si, ефект Холла, вибіркове травлення, електронна мікроскопія , виміри спектрометричних характеристик детекторів. Основні результати: в опроміненому нейтронами Si спостерігається прискорення преципітації O2 і при дозах > 10 16н/см 2 процес преципітації визначається радіаційними дефектами. Oпромінення Si нейтронами з наступним відпалом приводить до створення стоків для первинних радіаційних дефектів, що підвищує радіаційну стійкість Si. Розроблені радіаційно стійкі детектори та p-і-n діоди для дозиметрії швидких нейтронів з чутливістю більшою, ніж у відомих аналогів. Registration Date 2001-09-21 popup.nrat_date 2020-04-04 Close