Search academic texts

Information × Registration Number 0401U002930, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 23-10-2001 popup.evolution o Title Electron-phonon interaction in systems with localisation of charge carriers Author Poplavs'kyj Dmytro Volodymyrovych, popup.head Данильченко Борис Олександрович popup.opponent Добровольський Валентин Миколайович popup.opponent Главін Борис Анатолійович Description Дисертація присвячена дослідженню процесів електрон-фононної взаємодії в системі з сильно-локалізованими носіями (проміжно-легований n-Ge) та в двовимірному електронному газі, де присутні процеси слабкої локалізації (дельта-легований GaAs:Si). За результатами гальванічних та акустичних досліджень показано, що в германію, проміжно-легованому домішками Sb, присутня енергетична щілина порядку декількох меВ, яка монотонно змінюється з прикладенням одновісного тиску вздовж напрямку <111>. Запропоновано модель утворення домішкової D- зони, що адекватно описує результати наведених експериментів та дозволяє оцінити параметри зони. Результати гальваномагнітних вимірювань у зразках d-GaAs:Si дозволили визначити характер енергетичних втрат електронного газу та визначити пристосованість різних підходів до визначення температури (та енергетичних втрат) носіїв в даній системі. Сукупність результатів досліджень фононо-індукованої провідності вдалося надійно пояснити на основі запропонованої моделі "руйнування" слабко ї локалізації носіїв при поглинанні енергії акустичних фононів електронним газом. Проведено детальні розрахунки ефектів електрон-фононної взаємодії з урахуванням багатопідзонного характеру системи, що дали змогу дослідити процеси поглинання окремими підзонами та при різних умовах падіння фононів на двовимірний шар. Registration Date 2001-10-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close