Search academic texts

Information × Registration Number 0403U000514, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 15-01-2003 popup.evolution o Title Formation of oxide films on the surface of AIIBVI single-crystal semiconductor compounds and their solid solutions Author Kovalenko Nazar Olegovich, popup.head Zagorujko Yu.A. popup.opponent Рогачова О.І. popup.opponent Ткаченко В.Ф. Description Об'єкт дослідження: оксидні плівки, що утворені на поверхні монокристалів сполук AIIBVI при різних умовах отримання та монокристали Zn1-хMgхSe з різною концентрацією домішки Mg. Мета дослідження: вивчення процесів утворення оксидних шарів на поверхні монокристалічних сполук AIIBVI, визначення фізичних (оптичних, електричних, механічних) властивостей утворених оксидних шарів в залежності від умов їх отримання, та з'ясування функціонально важливих особливостей фізичних властивостей твердих розчинів Zn1-xMgxSe в інтервалі концентрацій Mg 0,03( x (0,6. Методи дослідження та апаратура: ІЧ-мікроскопія, рентгеноструктурний та рентгенофазовий аналіз, електронна мікроскопія, мікроіндентування, визначення фоточутливості, електропровідності та оригінальний метод дослідження кінетики утворення оксидних шарів. Теоретичні та практичні результати, новітність: проведено термодинамічний аналіз реакцій окислення сполук AIIBVI в атмосфері озону; встановлено один з механізмів прискорення процесу утворення оксидної плівкипри фототермічному окисленні; показано можливість виготовлення МДН-структур на основі гетеропереходу ZnSe-ZnO; виявлено особливості механічних та оптичних властивостей кристалів твердого розчину Zn1-xMgxSe при концентраціях магнию ~ 6ат.%. Галузь використання: оптоелектроніка, силова оптика середнього ІЧ діапазону Registration Date 2003-01-15 popup.nrat_date 2020-04-04 Close