Search academic texts

Information × Registration Number 0403U000681, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 14-02-2003 popup.evolution o Title Dynamic model of physical processes in the field transistors with the Shcottky gate submicron sizes Author Zuev Sergey Alexandrovich, popup.head Shadrin A.A. popup.opponent Прохоров Е.Д. popup.opponent Ворбйов Г.С. Description Дисертаційна робота присвячена дослідженню фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, зокрема, у польових транзисторах із затвором Шоттки. У роботі розроблена математична модель, яка включає чисельний розв'язок методом великих частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з відповідними граничними умовами. Для більш точного опису процесів в приконтактних областях вона доповнена моделями контактів метал-напівпровідник (омічним та бар'єром Шоттки). Проведено апробацію моделі, показана адекватність опису процесів, що відбуваються в приладах субмікронних розмірів. За допомогою створеної моделі проведено цикл чисельних експериментів, присвячених дослідженням динамічних характеристик GaAs та впливу різних режимних та конструктивних параметрів на характеристики польових транзисторів із затвором Шоттки. Registration Date 2003-02-14 popup.nrat_date 2020-04-04 Close