Search academic texts

Information × Registration Number 0404U004487, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 05-11-2004 popup.evolution o Title Dielectric properties of crystals in Li2Ge4O9-LiNaGe4O9 system. Author Volnianskii Dmitro Michailovich, popup.head Kudzin Arkadij Yurievich popup.opponent Влох Ростислав Орестович popup.opponent Коваленко Олександр Володимирович Description Об'єкт дослідження - сегнетоелектричні монокристалли германогерманатів складу Li2-xNaxGe4O9 (0,2<x<0,3). Мета - встановлення головних закономірностей механізму поляризаційних явищ в кристаллах Li2-xNaxGe4O9 (0,2<x<0,3) при впливах зовнішнього електричного поля, температури, зміни співвідношення іонів Li та Na. Методи - вирощування кристалів методом Чохральського, мостовий метод вимірювання діелектричної проникності, методики дослідження процесів переполчризації сегнетоелектриків в синусоїдальних та імпульсних полях. Виявлено, що в цій системі неможливо виростити методом Чохральського монокристали з вмістом 0 < х < 0,2. Вперше вирощено монокристали складу 0,2 < х < 0,3, які мають температуру фазового переходу від 270 до 335 К. Показано, що нелінійні діелектричні властивості кристалів з Тс < 300 К добре описуються в межах теорії Ландау для фазових переходів другого роду, а кристалів з Тс > 300 К - не описуються цією теорією. Виявлено, що в зразках з Тс < 300 К спостерігаються звичайні петлі діелектричного гістерезису. В зразках з Тс > 300 К виявлено подвійні петлі Р-Е гістерезису, які спостерігаються в обмеженому інтервалі температур в сегнетоелектричній фазі. Запропоновано модель, яка пояснює виникнення подвійних петель перебудовою доменної структури в кристалах, що досліджувались. Ця модель підтверджується вимірюван-нями температурних залежностей піроструму на кристалах з Тс < 300 К та Тс > 300 К. Сфера використання - дослідження сегнетоелектричних кристалів, навчальний процесс. Registration Date 2004-11-05 popup.nrat_date 2020-04-04 Close