Search academic texts

Information × Registration Number 0405U004746, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 14-11-2005 popup.evolution o Title Structure, optical and electrical properties of zinc oxide doped films, obtained by means of magnetron sputtering technique. Author Kovtun Nazar Anatolievich, popup.head Boyko B.T. popup.opponent Мацевітий В. М. popup.opponent Богдан М. М. Description Об’єкт – фізичні механізми впливу фізико-технологічних умов магнетронного розпилення на оптичні та електричні характеристики легованих плівок оксиду цинку; мета - розробка фізичних основ оптимізації фізико-технологічних умов різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих шарів оксиду цинку з високими коефіцієнтами якості; методи - рентгендифрактометричного аналізу фазового складу і таких параметрів кристалічної структури, як розмір області когерентного розсіяння, рівня мікродеформації і ступеню розсіювання текстури; оптичної спектроскопії для визначення середнього коефіцієнту пропускання шарів у діапазоні довжин хвиль (400-800) нм; чотирьохзондового методу для ідентифікації поверхневого електроопору шарів, методу е.р.с. Холу для визначення концентрації і рухливості основних носіїв заряду; результати, новизна - встановлені фізичні механізми впливу технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення на коефіцієнт якості легованих плівок оксиду цинку. Показано, що досягнення оптимальних оптоелектричних властивостей для плівок ZnO:In та ZnО:Al, отриманих реактивним магнетронним розпиленням на постійному струмі, відбувається завдяки різним фізичним механізмам, що пов’язано з різними атомарними радіусами алюмінію та індію. Уточнені та обґрунтовані фізичні механізми впливу на оптоелектричні властивості плівок ZnО:Al концентрації легуючої фази у складі мішені при нереактивному магнетронному розпиленні і потужності магнетрона при високочастотному розпиленні. Встановлено, що при високочастотному нереактивному магнетронному розпиленні при збільшенні робочого тиску спостерігається нетрадиційна зміна фізичних закономірностей впливу товщини плівок ZnО:Al на значення концентрації основних носіїв заряду; галузь використання - фізика твердого тіла. Registration Date 2005-11-14 popup.nrat_date 2020-04-04 Close