Search academic texts

Information × Registration Number 0406U000083, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 23-12-2005 popup.evolution o Title Improvement in polishing technology of silicon structures with dielectric isolation Author Tkachenko Maksym A, popup.head Oksanych Anatoliy P. popup.opponent Новиков Микола Миколайович popup.opponent Петренко Василь Радіславович Description Об'єкт - технологічні процеси механічної обробки КСДІ; мета - оптимізація технологічних параметрів процесу шліфування КСДІ на основі розробленої математичної моделі процесу шліфування і створення системи автоматичного керування процесом шліфування КСДІ на базі верстату САШ-420М, що забез-печує зниження рівня ушкоджень поверхневого шару КСДІ і їхню тріщиностій-кість; методи - фундаментальних положеннях теорії пружності, фізики напів-провідників, фізико-хімічних основах технології мікроелектроніки і результа-тах практичних досліджень на шліфувальному обладнанні; результати - вста-новлені обмеження на кінематичні параметри процесу шліфовки, оптимальні значення параметрів шліфувальних кругів та розроблена процедура визначення числа проходів шліфовки дозволили синтезувати і впровадити в промислову експлуатацію автоматизовану систему управління верстатом шліфовки САШ-420М, яка забезпечує механічну шліфовку КСДІ з підвищеним ступенем геоме-тричної досконалості і видаленням частини порушеного шару з поверхніКСДІ; новизна - уперше визначені оптимальні значення основних параметрів процесу шліфування, що не приводять до структурних порушень поверхневого шару КСДІ, розроблено математичну модель процесу шліфування КСДІ, визначено оптимальні значення параметрів шліфувальних кругів, що забезпечують міні-мальну глибину порушеного шару, визначено оптимальні значення відношення швидкостей вакуумного столу і шліфувального круга і глибини шліфування КСДІ за прохід, розроблено метод визначення числа проходів шліфування з урахуванням виміряної товщини структури, необхідної глибини шліфування кожним кругом і накладених на сумарну глибину шліфування обмежень, роз-роблено процедуру визначення значень параметрів розташування КСДІ на вакуумному утримувачі і знайдено їхні оптимальні значення, за яких досяга-ються оптимальні умови шліфування; впровадження - технологію впровадже-но в експлуатацію на підприємстві ВАТ "Чисті метали " ДП "Завод чистих металів", м. Світловодськ; галузь - підприємства електронної галузі та галузе-віх науково-дослідні інститути, які займаються обробкою кремнієвих структур Registration Date 2005-12-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close