1 documents found
Information × Registration Number 0406U000240, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 22-12-2005 popup.evolution o Title The influence of isovalent lead impurity on the thermal and radiation defects creation in silicon Author Voitovych Vasyl Vasylyovych, popup.head Kraitchinskii Anatolii Mykolajovich popup.opponent Баранський Петро Іванович popup.opponent Хівріч Володимир Ілліч Description Дисертацію присвячено експериментальним дослідженням впливу свинцю на структурні, електричні та рекомбінаційні параметри n-Si і термічне та радіаційне дефектоутворення в ньому. Виявлено, що свинець в кремнії має гетеруючі властивості, зменшуючи концентрацію атомарного вуглецю, а також концентрацію домішок, які визначають величину часу життя нерівноважних носіїв заряду. Атоми Pb є електрично нейтральними в Si і не погіршують його кристалічної будови. Причиною спостережуваних ефектів може бути зменшення внутрішніх деформаційних напружень в кристалі внаслідок скорельованого розташування атомів Pb і C в процесі кристалізації Si при витягуванні із розплаву. Встановлено, що легування кремнію свинцем зменшує ефективність введення радіаційних дефектів (VO на 20-25% и СiСs в 7-13 раз) при електронному 1 МеВ опроміненні. Показано також, що свинець переводить значну частину атомів вуглецю у оптично неактивний стан, тим самим виключаючи їх із процесу утворення вуглецевих радіаційних дефектів СіСs. Встановлено, щопри загальній концентрації свинцю ~ 1018 см-3, яку визначено за допомогою вторинної іонної масспектрометрії, концентрація атомарного свинцю в даних кристалах не перевищує 1017 cм-3. Досліджено вплив свинцю на кінетику генерації термодонорів і преципітацію кисню в n-Si. Встановлено, що свинець зменшує темп генерації ТД-І (Т=450 оС) і частково нейтралізує вплив вуглецю на процеси утворення ТД-І, ТД-ІІ (Т=650 оС) і розпад пересиченого твердого розчину кисню (Т=650 оС). Виявлено, що попередній низькотемпературний відпал (450+510оС) нівелює відмінності у кінетиці генерації високотемпературних термодонорів і преципітації кисню для легованого свинцем і контрольного матеріалу. Registration Date 2005-12-22 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
1
Voitovych Vasyl Vasylyovych. The influence of isovalent lead impurity on the thermal and radiation defects creation in silicon : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2005-12-22; popup.evolution: .; Institute of physics NASU. – , 0406U000240.
1 documents found

Updated: 2026-03-26