Search academic texts

Information × Registration Number 0406U001160, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 17-03-2006 popup.evolution o Title Surface morphology and optical property of (In,Ga)As/GaAs and InAs/AlSb nanostructures Author Kolomys Alexander Fedorovych, popup.head Strelchuk Viktor Vasylyovych popup.opponent Корсунська Надія Овсіївна popup.opponent Порошин Володимир Миколайович Description В дисертації викладено результати комплексного дослідження оптичних та структурних властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs структур з квантовими точками і нитками та InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Запропонована покращена фізична модель процесу формування InxGa1-xAs квантових точок в багатошарових InxGa1-xAs/GaAs структурах, яка пояснює всі експериментально встановлені властивості спектрів фотолюмінесценції, комбінаційного розсіювання світла, рентгенівські і АСМ дані. Показано, що процес зародження InxGa1-xAs квантових точок (наноострівців) не зводиться до класичного механізму Странського-Крастанова, а суттєво модифікується процесами вертикальної сегрегації атомів індію і інтердифузії атомів галію. Показано, що при ретельному підборі умов росту можна отримати латеральне впорядкування квантових точок при осадженні вже перших періодів багатошарової InхGa1-хAs/GaAs структури. При збільшенні кількості періодів структури ступінь латерального впорядкування і однорідності квантових точок покращується, що супроводжується збільшенням ступеня поляризації їх випромінювання. Встановлено, що у випадку InSb-подібного інтерфейсу структури InAs/AlSb має місце зменшення концентрації і збільшення рухливості 2D електронів в InAs квантовій ямі. Вперше виявлені помітні зміни концентрації 2D електронів та їх взаємодії з LO-фононами InAs в залежності від енергії кванта збудження при низькій температурі. Ключові слова: квантова точка, квантова нитка, інтердифузія, деформація, плазмон-фононна мода. Registration Date 2006-03-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close