Search academic texts

Information × Registration Number 0406U001318, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 17-03-2006 popup.evolution o Title The mechanisms of tensoresistive effects in highly strained n-type silicon and germanium crystals Author Budzulyak Sergiy Ivanovych, popup.head Ermakov Valeriy Mykolayovych popup.opponent Савчук Андрій Йосипович popup.opponent Єлізаров Олександр Іванович Description Дисертація містить результати комплексних досліджень основних закономірностей та особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у сильно деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Представлено методи визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Встановлено, що поряд із класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові механізми, які пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно-індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильно легованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал-ізолятор отримана залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З'ясовані особливості ударної іонізації станів мілких домішок на ізоляторній стороні деформаційно-індукованого переходу метал-ізолятор для сильно легованих кристалів кремнію й германіюn-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлених наявністю високотемпературних технологічних термодонорів. Registration Date 2006-03-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close