Search academic texts

Information × Registration Number 0406U002181, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 26-05-2006 popup.evolution o Title The analyses of the thermal conditions influence on Si monocrystals structural perfectness and the thermal unit development for defect - free ingots growing in industrial conditions. Author Vasheruk Oleksandr Vasyl'ovych, popup.head Oksanych Anatolij Petrovych popup.opponent Стороженко Володимир Олександрович popup.opponent Орел Володимир Іванович, Description Дисертаційна робота присвячена визначенню теплових умов ростової системи, що дозволяють вирощувати бездефектні монокристали кремнію діаметром 200 мм, та їх реалізація шляхом розробки теплового вузла з відповідною науково - обґрунтованою геометрією. Зроблено аналіз механізму формування теплових умов у ростовій установці вирощування монокристалів кремнію методом Чохральського. Визначено вплив теплових умов на щільність мікродефектів і нерівномірність розподілу кисню в монокристалах кремнію. Розроблено модель, що пов'язує теплові умови з мікродефектами і киснем у монокристалі кремнію. На основі цієї моделі проведено параметричні дослідження й отримано нові результати, що визначають закономірності впливу теплових екранів і властивостей конструкційних матеріалів на розподіл кисню і щільність мікродефектів у монокристалі кремнію. Визначено систему теплових екранів і кутові коефіцієнти , що визначають значення ефективного випромінювання з поверхонь у зоні теплового вузла. Розроблено конструкцію теплового вузла, що забезпечує формування теплових умов для вирощування монокристалів кремнію діаметром 200 мм із щільністю мікродефектів, що не перевищує по довжині злитка 5 деф·см-2 і нерівномірністю розподілу кисню, що не перевищує . Розроблено і впроваджено пристрій, що вимірює щільність мікродефектів на поверхні пластини монокристалу. Registration Date 2006-05-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close