1 documents found
Information × Registration Number 0406U004997, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 01-12-2006 popup.evolution o Title Defect structure changes in silicon crystals after high-energy irradiation by the methods of high-resolution Х-ray diffractometry. Author Dovganyuk Volodymyr Vasyl'ovych, popup.head Raranskiy Mykola Dmytrovych popup.opponent Молодкін Вадим Борисович popup.opponent Годованюк Василь Миколайович popup.opponent Раренко Іларій Михайлович Description Побудована модель дефектної структури кристалів кремнію з кількома типами домінуючих мікродефектів дозволила якісно і кількісно описати результати дослідження методом кривих дифракційного відбивання та повної інтегральної відбивної здатності. Досліджено динаміку зміни концентрацій і розмірів мікродефектів до і після опромінення кристалів. Виявлено неоднорідний розподіл мікродефектів за товщиною кристала, обумовлений наявністю горизонтальних та радіальних смуг росту. Registration Date 2006-12-01 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
1
Dovganyuk Volodymyr Vasyl'ovych. Defect structure changes in silicon crystals after high-energy irradiation by the methods of high-resolution Х-ray diffractometry. : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2006-12-01; popup.evolution: .; Yuri Fedkovych Chernivtsi National University. – , 0406U004997.
1 documents found

Updated: 2026-03-22