Search academic texts

Information × Registration Number 0407U001626, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 29-03-2007 popup.evolution o Title Dynamic model of physical processes in the field transistors with the Shcottky gate submicron sizes Author Zuev Sergiy O, popup.head Starostenko Volodymyr V. popup.opponent Аркуша Юрій Васильович popup.opponent Карушкін Микола Федорович Description Мета - розвиток загальної теорії GaAs польових транзисторів Шоткі (ПТШ) у напрямку врахування специфіки розігріву й розсіювання носіїв при напружених режимах роботи й формуванні струмового й теплового пробоїв. Об'єкт - швидкозмінні фізичні процеси і явища переносу заряду, що визначають динаміку процесів вмикання, вимикання й розвитку лавинного пробою в ПТШ. Методи - FACR, метод кінцевих різниць для розв'язання рівняння Пуассона; модифікований метод Ейлера для розв'язання рівнянь руху; неявний метод прогону для розв'язання рівняння теплопровідності; метод великих часток (Монте-Карло) для розв'язання рівняння Больцмана. Результати - створено пакет програм моделювання напружених струмових режимів ПТШ; отримано результати чисельних експериментів. Впроваджено - у виробництво потужнострумових напівпровідникових приладів. Галузь використання - технологія і виробництво мікросхем і цифрових приладів Registration Date 2007-03-29 popup.nrat_date 2020-04-04 Close