Search academic texts

Information × Registration Number 0408U002220, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 14-04-2008 popup.evolution o Title Influence of ultrasound on defects and photoelectrical phenomena of silicon and silicon based structures Author Podolian Artem Olexandrovych, popup.head Korotchenkov Oleg Olexandrovych popup.opponent Крайчинський Анатолій Миколайович popup.opponent Бабич Вілік Максимович Description Дисертація присвячена експериментальному вивченню фотоелектричних явищ в монокристалічному кремнії та низькорозмірних структурах на його основі, зумовлених процесами виникнення, перебудови та зникнення точкових дефектів під дією ультразвуку. В роботі вперше експериментально продемонстровано можливість холодного ультразвукового відпалу точкових радіаційних дефектів, введених опроміненням g-квантами 60Co в монокристалічний кремній. Запропоновано моделі холодного ультразвукового відпалу Е-центрів в кремнії, отриманому методом зонної плавки, та комплексів C-O-V2 в кремнії, отриманому методом Чохральского. Показано можливість відновлення ультразвуком робочих характеристик деградованих радіацією кремнієвих детекторів ядерних частинок. Продемонстровано можливість очищення об'єму кремнію від небажаних домішок Na та K, та зменшення неоднорідності в розподілі електрично-активних радіаційних дефектів шляхом обробки ультразвуком. Виявлено, що одночасна з імплантацією іонів He+ обробка ультразвуком SixGe1-x/Si здатна суттєво зменшити концентрацію проростаючих дислокацій в плівках SixGe1-x при термічній релаксації. Зареєстровано ефекти перебудови спектральних залежностей фото-е.р.с. в структурі Au/SixGe1-x/Si та фотолюмінесценції поруватого кремнію в режимі обробки ультразвуком, які пояснили акустостимульованою перебудовою дефектів структури. Registration Date 2008-04-14 popup.nrat_date 2020-04-04 Close