Search academic texts

Information × Registration Number 0408U005435, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 28-11-2008 popup.evolution o Title Influence of Sn dopand on physical properties of wide bandgap II-VI composites Author Gryvul Vasylyna Ivanivna, popup.head Makhnij Viktor Petrovich popup.opponent Стахіра Павло Йосипович popup.opponent Слинько Євген Іларіонович Description Установлено, що домішка Sn в ZnSe приводить до збільшення електронної провідності і ефективності блакитної смуги люмінесценції, яка є суперпозицією трьох каналів рекомбінації: анігіляція вільних екситонів, міжзонна рекомбінація і переходи за участю акцепторних центрів. Показано, що дифузія Sn при певних умовах переводить CdTe у напівізолюючий стан, незалежно від типу і величини провідності підкладинок. Уперше отримані дифузійні шари ZnTe:Sn з високою електронною провідністю. Registration Date 2008-11-28 popup.nrat_date 2020-04-04 Close