Search academic texts

Information × Registration Number 0410U003109, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 23-04-2010 popup.evolution o Title Electronic structure and kinetic properties of the paramagnetic impurities and defects in silicon carbide Author Savchenko Dariya Viktorivna, popup.head Shanina Bela Dmytrivna popup.opponent Братусь Віктор Якович popup.opponent Коваленко Олександр Володимирович Description В дисертаційній роботі досліджено електронну структуру донорів азоту (N), його комплексів у 4H та 6H SiC n-типу, а також дефектів та їх кінетичних властивостей у напівізолюючому (НІ) 4Н і 6H SiC методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР), ехо-детектованого (ЕД) ЕПР, імпульсного подвійного електронного ядерного резонансу (ІПЕЯР) та фото ЕПР. У спектрах ЕД ЕПР у 4Н та 6H SiC n-типу виявлено триплет ліній N з S = 1, віднесений до віддаленої пари, що утворюється між атомами N у квазікубічній та гексагональній позиції, пов'язаними між собою атомом кремнію (NКSiКNГ). З дослідження спектрів ІПЕЯР визначено параметри NГ у 4H SiC та константи квадрупольної взаємодії для NК та NГ. Визначені константи супернадтонкої взаємодії N з найближчим його оточенням. Зроблено висновок, що атоми N у 6H SiC заміщують атоми вуглецю. Виявлено та теоретично описано процес довготривалої релаксації (ДР) нерівноважних носіїв, захоплених на дефектні та домішкові рівні у НІ 4Н SiC. Визначено кінетичні властивості домішок та дефектів, величини ймовірностей та типи електронних процесів, відповідальних за ДР. З даних фото ЕПР встановлено електронні моделі дефектів, відповідальних за НІ властивості 6H SiC. Registration Date 2010-04-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close