Search academic texts

Information × Registration Number 0410U003751, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 02-06-2010 popup.evolution o Title Kinetic description and mathematical simulation of ion implantation into crystals Author Bratchenko Mykhaylo Ivanovich, popup.head Bakai Alexander Stepanovich popup.opponent Ходусов Валерій Дмитрович popup.opponent Ямпольський Валерій Олександрович Description Дисертаційна робота присвячена теоретичному опису залежності профілів імплантації йонів з енергією ~1…200 кеВ в кристали від умов імплантації. Сформульовано загальний підхід до проблеми як до спільної кінетики каналювання й хаотичного руху, що описується зв'язаною системою рівнянь Чепмена-Колмогорова. Розроблено нову методику дослідження імплантації йонів у кристали методом комп'ютерного експерименту, що комбінує моделювання тривимірної траєкторії йону з розрахунком параметрів його каналювання в найближчому аксіальному каналі. У наближенні безперервного уповільнення розв'язана задача про деканалювання йонів низьких енергій та отримано аналітичне рішення для функції деканалювання, проведені його якісний аналіз та порівняння з експериментальними даними. Вперше введено режим метаканалювання, що відповідає динамічно стійкому каналюванню йонів зі зниженими щодо рівня аморфної середи питомими втратами енергії, та отримано вираз для критичного кута метаканалювання. Розроблена феноменологічна модель опису профілів імплантації йонів у кристали, що покращує параметризацію експериментальних даних у порівнянні з можливостями стандартної емпіричної моделі, і дозволяє отримувати з них кінетичні параметри каналювання йонів низьких енергій. Registration Date 2010-06-02 popup.nrat_date 2020-04-04 Close