Search academic texts

Information × Registration Number 0410U003860, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 18-06-2010 popup.evolution o Title Features of lateral and vertical transport of electrons in quantum heterostructures based on group III nitrides Author Naumov Andriy Vadimovich, popup.head Belyaev Alexander Yeugenievich popup.opponent Порошин Володимір Миколайович popup.opponent Скришевський Валерій Антонович Description Робота присвячена електронному транспорту в одно- та двобар'єрних квантових гетероструктурах (ГС) типу AlGaN/GaN. Експериментально досліджені фізичні явища, що виникають в умовах сильних магнітних і електричних полів при кріогенних та кімнатних температурах, з метою з'ясування особливостей переносу та рекомбінації носіїв заряду в таких ГС. Проведено теоретичне чисельне моделювання характеристик досліджуваних ГС для аналізу і інтерпретації експериментальних даних. При дослідженні фотолюмінесценції в ГС з легованими та нелегованими бар'єрами виявлений ефект спектральної трансформації ФЛ, коли смуга в області 3.46-3.3 еВ, що пов'язана з електрон-дірковою рекомбінацією 2DEG, в модульовано легованих ГС зникає, а замість цього, поряд з підсиленням крайової ФЛ при 3.49 еВ, виникає інтенсивна смуга в області 3.3-2.7 еВ, віднесена до рекомбінації донорно-акцепторних пар за участю глибоких акцепторних центрів, внесених легуванням. При дослідженні магнітотранспорту в ГС з різним ступенем квантової локалізації визначені основні фактори, які впливають на ефективну масу двомірного електронного газу, і отримане уточнене значення, яке дорівнює (0.2±0.01)m0. При дослідженні латерального транспорту в транзисторних ГС показані ефекти саморозігріву каналу 2DEG при струмопереносі і їх сильна залежність від розмірів каналу. При дослідженні вертикального транспорту в резонансно-тунельних діодних ГС показано складний нелінійний характер процесу тунелювання внаслідок взаємодії зовнішніх та внутрішніх вбудованих полів в бар'єрах і квантовій ямі. З'ясовані причини бістабільності тунельного струму, пов'язані з накопиченням носіїв заряду на інтерфейсних та дислокаційних станах. Запропоновані шляхи покращення характеристик ГС. Registration Date 2010-06-18 popup.nrat_date 2020-04-04 Close