Search academic texts

Information × Registration Number 0410U005023, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 17-06-2010 popup.evolution o Title Effects of space redistribution of "hot" carriers sn semiconductors and heterostructures Author Bilyovsкiy Pavlo Antonovych, popup.head Vynoslavskiy Mykhailo Mykolayovych popup.opponent Данильченко Борис Олександрович popup.opponent Тулупенко Віктор Миколайович Description В дисертації досліджуються процеси, що мають місце в умовах сильної нерівноважності носіїв заряду при їхньому розігріві сильним електричним полем в об'ємних кристалах германію і гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами. Вивчені струмові нестійкості, що виникають при цьому, а також утворення просторово-неоднорідних структур у вигляді струмових шнурів або високопольових доменів. За допомогою методик вимірювання розподілів електричного поля вздовж зразка та вимірювання інтенсивності інфрачервоного випромінювання експериментально виявлені передбачені раніше теоретично повздовжні термодифузійні автосолітони у вигляді струмових шнурів у кристалах Ge. Експериментально показано, що такі автосолітони утворюються у слабко розігрітій плазмі з високою концентрацією носіїв. У плазмі з невисокою концентрацією носіїв при сильному її розігріві утворюються поперечні автосолітони у вигляді доменів поля. Виявлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами в латеральному електричному полі можуть виникати статичні високопольові акустоелектричні домени, що призводять до N-подібності ВАХ. За допомогою методики подвійних імпульсів напруги показано, що причиною виникнення загасаючих осциляцій струму в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs є відбиття від анодного контакту акустичного потоку, пов'язаного з акустоелектричним доменом. Також експериментально виявлено, що в гетероструктурах InGaAs/GaAs з подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами просторовий перенос електронів у гріючому електричному полі із широких квантових ям у вузькі ями приводить до різкого збільшення інтенсивності далекого інфрачервоного випромінювання електронів. Це пояснено додатковим внеском прямих випромінювальних міжпідзонних переходів електронів у вузькій ямі. Registration Date 2010-06-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close