Search academic texts

Information × Registration Number 0410U005617, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 29-09-2010 popup.evolution o Title Optimization of photo-electric characteristics of heterostructures based on indium and gallium monoselenides by method NQR Author Lastivka Galina, popup.head Khandozhko Alexander popup.opponent Стахіра Павло Йосипович popup.opponent Рюхтін В'ячеслав Васильович Description Дисертація присвячена вивченню впливу низькотемпературного відпалу на спектри ЯКР і характеристики гетерофотодіодів на основі p-GaSe-n-InSe. Вперше досконалість монокристалічних зразків GaSe й InSe до і після термообробки оцінювалися за тонкою структурою спектрів ЯКР, що відображають впорядкування політипних модифікацій. Вперше зафіксовано, що покращення основних параметрів гетерофотодіодів, виготовлених методом прямого оптичного контакту, спостерігається при температурах відпалу вихідних матеріалів 150-200 оС. В роботі запропонований метод оцінки якості зразків на наявність розорієнтованих кристалічних блоків використовуючи залежність інтенсивності ЯКР від напряму радіочастотного поля відносно головної кристалічної вісі с. Registration Date 2010-09-29 popup.nrat_date 2020-04-04 Close