Search academic texts

Information × Registration Number 0410U005795, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 15-10-2010 popup.evolution o Title Ohmic and barrier contacts based on titanium and zirconium borides to gallium nitride microwave diodes. Author Sheremet Volodymyr Mykolayovych, popup.head Konakova Raisa Vasil'evna popup.opponent Баранський Петро Іванович popup.opponent Чайка Георгій Євгенович Description Дисертація присвячена дослідженню процесів у багатошарових омічних і бар'єрних контактах до n-GaN, з використанням боридів титану та цирконію як дифузійних бар'єрів, що відбуваються під дією активних обробок. Встановлено, що омічні контакти Ti-Al-TiBx-Au та бар'єрні Ti(Zr)Bx-Au до n-GaN зберігають структуру і електрофізичні параметри до температури відпалу 900°С дози гама-опромінення 10^6 Гр. Під дією гама-опромінення 60Со до дози 10^4 Гр спостерігається структурно-домішкове впорядкування на межі поділу фаз контактної металізації, внаслідок чого зменшується питомий контактний опір в омічних контактах і надлишкові струми витоку в бар'єрних. Виявлено, що в діапазоні температур 270-380 К для контакту Au-TiBx-Al-Ti n-GaN характерний металічний механізм струмопереносу по шунтах, що під дією НВЧ обробки переходить до польового. Показано, що для бар'єрного контакту Au-TiBx-n-GaN характерним є тунельний механізм струмопереносу по дислокаційній лінії. Registration Date 2010-10-15 popup.nrat_date 2020-04-04 Close