Search academic texts

Information × Registration Number 0411U000121, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 29-12-2010 popup.evolution o Title Diffusion and structured phase changes in tungsten and silicon by low energetic external interaction Author Bogdanov Sergii Ievgenovich, popup.head Mazanko Vladimir Fedorovich popup.opponent Андрющенко Владислав Андрійович popup.opponent Луценко Григорій Васильович Description Дисертація присвячена вивченню дифузії та структурно-фазових перетворень у вольфрамі та кремнії при низькоенергетичній зовнішній дії. Представлено результати експериментальних досліджень впливу низькоенергетичної оброб-ки в плазмі жевріючого розряду аргону на структурні зміни порошкового вольфраму та формуван-ня стабільних силіцидних фаз TiSi2(C54) (з низьким питомим опором). Запропоновано дифузійну модель глибокого проникнення інертних газів, зокрема Ar, у вольфрам. Встановлено, що при опроміненні порошкового вольфраму іонами аргону в низькоенер-гетичній плазмі жевріючого розряду, іони аргону не залишаються локалізованими в тонкому при-поверхневому шарі, а поширюються на значні відстані в об'єм матеріалу від опроміненою поверх-ні. Методом радіоактивних ізотопів визначені глибини проникнення в моно-, полікристалічний та порошковий W, які досягають значень 5, 7 та 75 мкм за термінів обробки 72, 72 та 3 години, відпо-відно. Коефіцієнт дифузії 85Kr для порошкового вольфраму більше в 5,5 та 4 разів від коефіцієнта дифузії для моно- і полікристалічного вольфраму. Це свідчить про те, що наявність пористості в порошковому вольфрамі сприяє різкому росту швидкості міграції Ar та 85Kr в умовах дії жеврію-чого розряду. Показано перевагу формування силіцидних фаз методом низькоенергетичного термоіоного осадження (НТІО) на відмінну від термічних способів одержання силіциду. Використовуючи ме-тод НТІО формування TiSi2(C54) відбувається швидше (за 55 с), ніж при магнетронному розпи-ленні титану на монокристалічному Si з наступним відпалом ( 200с). Питомий електричний опір для нанорозмірної плівки TiSi2(C54) при НТІО титану, склала мкОм см, а при магнетро-ному розпиленні ? -24 мкОм см. Розроблена модель дифузії атомів Si і Ti при формуванні силіцидної плівки, при цьому дифузія атомів Si і Ti іде як по границі розділу, так і в об'ємі силіци-дної фази. Встановлено, що низькоенергетична обробка, утворюючи радіаційно-стимульовані дефекти (типу Френкеля) створює умови для прискорення дифузійних процесів, збільшуючи глибину про-никнення домішкових атомів та зменшуючи час формування силіцидних фаз Тi. Registration Date 2010-12-29 popup.nrat_date 2020-04-04 Close