Search academic texts

Information × Registration Number 0411U003796, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 07-06-2011 popup.evolution o Title Simulation of electrothermal processes in submicron heterostructures Author Semenovs'ka Olena Volodymyrivna, popup.head Timofeev Vladimir Ivanovich popup.opponent Поплавко Юрій Михайлович popup.opponent Глушеченко Едуард Миколайович Description Дисертаційна робота присвячена дослідженню теплових процесів і ефекту саморозігріву в потужних субмікронних гетероструктурах та інтегральних мікросхем на їх основі. Запропонована методика розрахунку теплових полів у транзисторі, заснована на спільному розв'язанні рівнянь фізико-топологічної моделі і рівняння теплопровідності в двовимірному наближенні. Створені математичні моделі та алгоритми, що дозволяють побудувати розподіл температури вздовж транзисторної структури, виявити зони перегріву і уточнити параметри моделі на етапі проектування. Досліджено методику врахування ефекту саморозігріву в транзисторі за рахунок введення в схемну модель додаткових баластних опорів і залежного джерела. Встановлено залежність коефіцієнта зворотного зв'язку від номіналів баластних опорів в базовій і емітерний областях транзистора і визначено рекомендації щодо вибору оптимальних значень баластних опорів. Крім того, встановлено характер впливу ефекту саморозігріву на вихідні і частотні характеристики. Розроблено та запатентовано спосіб розрахунку теплового опору субмікронного транзистора за його тепловою моделлю. Встановлено залежність величини теплового опору кристала транзистора від форми і геометричних розмірів кристала і затвора транзистора, від режимів роботи транзистора, від кількості шарів легування й степеня легування підзатворної області. Cпоcіб знайшов застосування для розрахунку теплового опору монолітних інтегральних схем, в залежності від схеми розташування і кількості джерел тепла на поверхні мікросхеми. Registration Date 2011-06-07 popup.nrat_date 2020-04-04 Close