Search academic texts

Information × Registration Number 0412U001884, Candidate dissertation Status к.х.н. Date 17-02-2012 popup.evolution o Title Crystal-chemystry of points defects and crystals of Zinc chalcogenides. Author Grurgula Galyna Yaroslavivna, popup.head Freik Dmytro Myhaylovych popup.opponent Неділько Сергій Андрійович popup.opponent Корбутяк Дмитро Васильович Description Методами кристалохімії виконано аналіз дефектних підсистем у чистих ZnX(X=S, Se, Te) та легованих ZnX:Cu(Mg, In, O), ZnX:O:Cu(In) цинк халькогенідах та твердих розчинах на їх основі ZnSехS1-х, ZnSeхTe1-х, ZnSхTe1-х. Розроблено кристалоквазіхімічні формули для нестехіометричних n-ZnX, p-ZnX і самолегованих n-ZnX:X, p-ZnX:Zn кристалів та визначено вид і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів, знайдено залежності їх концентрації (N), концентрації вільних носіїв (n, p), холлівської концентрації носіїв струму (nH) від величини і характеру відхилення від стехіометрії та вмісту самолегуючого елемента, встановлено умови реалізації термодинамічних n-p- або p-n-переходів. Визначено кристалохімічні механізми легування цинк халькогенідів елементами різних підгруп Періодичної таблиці (Сu, Mg, In, O). Показано, що якщо купрум у ZnSe:Cu розміщується у міжвузлях, магній і індій заміщають цинк у катіонній підґратці, то оксиген у n-ZnS заміщає халькоген, а у p-типі - вкорінюється у міжвузлях. При подвійному легуванні у ZnS(Se):O:Cu формуються комплекси різного зарядового стану та нейтральні і однозарядні асоціати у ZnS(Se):O:In відповідно. На основі вперше розроблених кристалоквазіхімічних формул та рівнянь повної електронейтральності для твердих розчинів ZnSexS1-x, ZnSexTe1-x, ZnSxTe1-x встановлено механізми їх утворення та дефектну підсистему, визначено умови формування термодинамічних n-p- або p-n-переходів у системах n(p)ZnS-p(n)ZnSe, n(p)ZnSe-p(n)ZnTe, n(p)ZnS-p(n)ZnTe, а також зміну концентрації основних носіїв n(p) у n(p)ZnS-n(p)ZnSe, n(p)ZnSe-n(p)ZnTe, n(p)ZnS-n(p)ZnTe. Registration Date 2012-02-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close