Search academic texts

Information × Registration Number 0412U002842, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 16-05-2012 popup.evolution o Title Radiative recombination in А2В6 and А3В5 semiconductors under influence of deformation. Author Boyko Vitaliy Anatoliyovich, popup.head Shepelskii George Anatolievich popup.opponent Лисенко Володимир Сергійович popup.opponent Кондратенко Сергій Вікторович Description Дисертація присвячена дослідженню впливу деформацій на випромінювальні рекомбінаційні процеси як у вузькощілинних напівпровідниках (ВН): СdxHg1-xTe i InSb, так і напівпровідниках з досить широкою забороненою зоною: CdTe, Cd(Zn, Se)Te, Cd(S,Se). Перша частина дисертаційної роботи присвячена вирішенню проблеми - збільшеня випромінювальної спроможності ВН InSb і CdxHg1-xTe методом керованої трансформації зонного спектру за допомогою одновісної пружної деформації. В роботі встановлено, що завдяки перебудові зонного спектру ВН під дією деформації суттєво змінюються часи життя носіїв відносно основних каналів рекомбінації, при цьому, прямі випромінювальні переходи стають більш ймовірними а темп безвипромінювальної Оже-рекомбінації різко зменшується. Як наслідок, суттєво (в декілька разів) збільшується квантовий вихід рекомбінаційного випромінювання. Дослідження деформаційних явищ у більш широкозонних напівпровідниках виявило, що генерація і рух дислокацій під дією деформації призводить до значної зміни спектрів ФЛ у вигляді виникнення групи нових смуг і ліній рекомбінаційного випромінювання поблизу краю власного поглинання. За допомогою спектрального і просторово-роздільного ФЛ-аналізу встановлено природу двох серій дислокаційної ФЛ, які виявилися пов'язаними з електронними станами з одного боку - ядер дислокацій, а з іншого - електронними станами дефектів особливого типу, що не мають аналогів при інших методах дефектоутворення. Registration Date 2012-05-16 popup.nrat_date 2020-04-04 Close