1 documents found
Information × Registration Number 0412U003553, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 18-05-2012 popup.evolution o Title Local structure of silicon porous and nanosizing heterosructures Author Tarasova Olena Yuriivna, popup.head Balabai Ruslana Mikhailovna popup.opponent Глушко Євген Якович popup.opponent Башев Валерій Федорович Description Об'єкт дослідження: еволюція локальної будови нанорозмірних систем на основі кремнію під час їх створення та використання. Мета роботи: визначення особливостей атомної будови нанорозмірних гетеросистем Si/Si-ОY-Si4-Y, Si/Si3N4 та пористого кремнію. Методи: комп'ютерне моделювання багатоатомних структур із використанням атомних потенціалів за алгоритмом Монте-Карло та методами функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів. З'ясовані деталі атомної будови і термодинамічні характеристики тонких гетеросистем Si/Si-ОY-Si4-Y, Si/Si3N4, а також пористого кремнію. На підставі комп'ютерного моделювання у надтонкій системі Si/Si-Oy-Si4-y визначена гранична концентрація кисню, при якій формується неперервний преципітат кремнію, що пронизує оксид кремнію. За допомогою обчислювального експерименту підтверджено, що границя розділу Sі(111)/Si3N4(0001) може бути різкою, вільною від дефектів, але механічно напруженою. Зафіксована анізотропія електронних властивостей атомів уздовж поверхні дроту пористого кремнію. Комп'ютерними розрахунками досліджено зміни атомної будови пористого кремнію з підвищенням температури і у атмосфері кисню - для різних температур зафіксовані функції радіального розподілу та визначені деякі температури, що цікаві з точки зору використання та виготовлення пористого кремнію. Ультра тонкі оксиди та нітриди на кремнії - матеріали, які найчастіше використовуються в якості підзатворного діелектрика в приладах з надвисоким степенем інтеграції. Для них отримані товщини шарів та концентрації складових, що забезпечують їх якість. Степінь упровадження: рекомендації та застереження технологам при виготовленні приладів з надвисоким степенем інтеграції. Сфера використання: гетероструктури та пористі матеріали. Виготовлення гетероструктур нанорозмірних оксидів та нітридів кремнію на кремнії та пористого кремнію. Registration Date 2012-05-18 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
1
Tarasova Olena Yuriivna. Local structure of silicon porous and nanosizing heterosructures : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2012-05-18; popup.evolution: .; Kryviy Rih pedagogical institute State institution of higher education "Kryviy Rih national university". – , 0412U003553.
1 documents found

Updated: 2026-03-24