Search academic texts

Information × Registration Number 0412U004700, Candidate dissertation Status к.х.н. Date 19-10-2012 popup.evolution o Title Crystal chemistry and thermodynamics of point defects in semiconductor crystals of samarium monosulfide and its analogues Author Shevchuk Myroslava Olegivna, popup.head Freik Dmytro Myhaylovych popup.opponent Судавцова Валентина Савелівна popup.opponent Лобанов Віктор Васильович Description У роботі досліджено дефектну підсистему кристалів моносульфіду самарію, а також бездомішкових і легованих рідкісноземельними елементами (Sm, Gd, Tm) кристалів плюмбум телуриду. Для кристалів SmS, шляхом мінімізації термодинамічного потенціалу кристала, розраховано рівноважні значення концентрацій вакансій халькогену та антиструктурних атомів самарію у напівпровідниковій та металічній фазах SmS при заданих температурі та хімічному складі. На основі експериментальних залежностей холлівської концентрації від температури визначено залежність ефективної маси електронів від їх концентрації у d-зоні провідності моносульфіду самарію. Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідус з боку надлишку металу. На основі кристалохімічної моделі дефектної підсистеми плюмбум телуриду, яка враховує вакансії у аніонній та катіонній підґратках, розраховано залежності концентрацій точкових дефектів, вільних носіїв заряду та ступінь відхилення від стехіометрії у кристалах PbTe в залежності від технологічних параметрів двотемпературного відпалу - температури відпалу Т та тиску пари телуру PTe. Для легованих кристалів PbTe:Sm, PbTe:Gd і PbTe:Tm запропоновано моделі дефектної підсистеми та визначено термодинамічні параметри впрова-дження атомів домішки у кристалічну ґратку Registration Date 2012-10-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close