Search academic texts

Information × Registration Number 0413U002586, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 24-04-2013 popup.evolution o Title Regularities of the influence of the cadmium doping on the microstructure, optical, electronic and phonon properties of ZnO films Author Shtepliuk Ivan Ivanovich, popup.head Lashkarov Georgii Vadimovich popup.opponent Рудь Борис Михайлович popup.opponent Корбутяк Дмитро Васильович Description В роботі досліджено фізичну природу впливу низьких концентрацій ізоелектронної домішки кадмію на структуру, електронний, фононний та випромінювальний спектри оксиду цинку, виявлено закономірності формування твердих розчинів з високим вмістом кадмію в залежності від умов вирощування (тип підкладки, співвідношення парціальних тисків робочих газів, потужність розряду) та термічної обробки. Показано, що концентрація кадмію 0,4 ат.% приводить до суттєвого підвищення інтенсивності катодолюмінісценції оксиду цинку, що вказує на збільшення ймовірності процесів випромінювальних рекомбінації внаслідок захоплення екситону ізоелектронною пасткою і може бути використано для підвищення квантової ефективності пристроїв на основі ZnO. Показано, що зміна співвідношення парціальних тисків робочих газів та потужності магнетрона приводить до зміни вмісту кадмію в результуючій плівці, до зміщення краю власного поглинання в довгохвильову область та до зменшення оптичної ширини забороненої зони. Це свідчить про можливість цілеспрямованого керування енергетичним спектром Zn1-xCdxO. Знайдено, що тип підкладки впливає на концентрацію кадмію в плівках твердих розчинів та їх оптичні характеристики (випромінювальний час життя, квантова ефективність). Встановлено, що відпал приводить до удосконалення кристалічної структури плівок, збільшення сили електрон-фононної взаємодії, перерозподілу каналів випромінювальної рекомбінації, зміщення максимуму крайової емісії в низько-енергетичну область, а також до зникнення LO-фононів та емісійних смуг, пов'язаних з існуванням додаткової фази. Отримані результати дозволяють зрозуміти процеси формування твердих розчинів і відкривають потенційний шлях відносно легкого та дешевого контролю властивостей такої нерівноважної системи як Zn1?xCdxO. Створено та досліджено гетероструктури n-Zn1-xCdxO/p-SiC, вольт-амперні характеристики котрих виявили випрямляючу поведінку, характерну для діодів. Виявлено, що контролюючи концентрацію акцепторної домішки в шарах p-SiC, можна впливати на електричні характеристики (напруга включення, коефіцієнт випрямлення, послідовний опір) вихідних гетероструктур. Registration Date 2013-04-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close