Search academic texts

Information × Registration Number 0414U000574, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 27-02-2014 popup.evolution o Title Sensitive elements of thermal converters based on semiconductor n-HfNiSn Author Krayovskyy Volodymyr Yaroslavovych, popup.head Romaka Volodymyr Afanasiyovych popup.opponent Назаренко Леонід Андрійович popup.opponent Воробйов Леонід Йосипович Description Наведено обґрунтування та нове вирішення важливої наукової прикладної проблеми забезпечення стабільності та відтворюваності температурних вимірювань у діапазоні 4,2-1500 К, що виявляється у розвитку фізичних основ прогнозування та реалізації чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних перетворювачів на основі нових термометричних матеріалів HfNi1-xCoxSn, HfNi1-xRhxSn та HfNiSn1-xSbх. Розроблена та впроваджена методика стабілізації та відтворюваності термометричних характеристик матеріалів на базі n-HfNiSn та реалізованих чутливих елементів термоперетворювачів на їх основі шляхом легування базового матеріалу атомами Co, Rh та Sb. На основі результатів моделювання та дослідження кристалічної та електронної структур термо-метричних матеріалів, а також їх електрокінетичних та магнітних властивостей, здійснено прогнозування характеристик чутливих елементів термоперетворювачів. Реалізовано чутливі елементи термоелектричних та електрорезистивних перетворювачів та встановлені закономірності їх функцій перетворення у температурному діапазоні 4,2-1500 К. Галузь використання - дослідження й експериментальні розробки у сфері природничих і технічних наук (М 72.19). Registration Date 2014-02-27 popup.nrat_date 2020-04-04 Close