Search academic texts

Information × Registration Number 0414U004949, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 15-11-2014 popup.evolution o Title The technology of high-quality silicon device structures getting using high-energy radiation sources and heat treatment. Author Nikonov Andreu Yurievich, popup.head Levinzon David Idelevich popup.opponent Мельник Віктор Павлович popup.opponent Волохов Сергій Олександрович Description Здійснено аналіз можливостей отримання високолегованих шарів з використанням високоенергетичних джерел випромінювання та термообробки для далекого ІЧ-діапазону з малою концентрацією домішок. Розроблено комп’ютерну модель процесів захоплення домішки фосфору в процесі високоенергетичної імплантації кремнію на межі розділу, модель просторового розподілу вільних носіїв, що генеруються в напівпровіднику випромінюванням, які дозволили запропонувати рекомендації щодо проведення процесів легування домішками та оптимізації технологічних параметрів. Розроблено технологію виготовлення приладових кремнієвих структур методом іонної імплантації з двоступеневим електронним відпалом, яка дозволяє отримати максимальні концентрації домішок, що значно (2,5 рази) перевищує межу рівноважної розчинності. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила Registration Date 2014-11-15 popup.nrat_date 2020-04-03 Close