Search academic texts

Information × Registration Number 0415U004087, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 30-06-2015 popup.evolution o Title Physical and technical base of the tin dioxide films obtaining for gas sensors base layers and solar cells front contact Author Pirohov Alexandr Victorovich, popup.head Khrypunov Gennadiy Semenovich popup.opponent Чугай Олег Миколайович popup.opponent Донець Станіслав Євгенович Description Встановлено, що при магнетронному нереактивному розпиленні на постійному струмі відтворюваності питомої електропровідності плівок діоксиду олова товщиною 300 нм перешкоджає фазова трансформація поверхні мішені. Показано, що інтенсивність трансформації зростає зі збільшенням потужності магнетрона і зменшується при зростанні концентрації кисню в робочому газі. Для плівок діоксиду олова товщиною 50 нм, відтворюваність питомої електропровідності, визначається також критичною товщиною спонтанної кристалізації. Доведено, що вологість робочого газу стримує процес кристалізації й перешкоджає фазовій трансформації у плівках діоксиду олова. Установлені оптимальні технологічні режими магнетронного розпилення формування шарів діоксиду олова для газових датчиків. Встановлено, що наявність нанорозмірного прошарку діоксину олова на міжфазній границі ITO/CdS дає змогу збільшити ефективність до 11,4% для сонячних елементів ITO/SnO2/CdS/CdTe/Cu/Au, сформованих на скляних підкладках, а для сонячних елементів, сформованих на гнучкихполіамідних плівках, - до 10,8%, при зниженні товщини шару сульфіду кадмію до 0,2 мкм. Оптимальна товщина шару оксиду олова в сонячних елементів на основі CdS/CdTe, сформованих на скляних підкладках, становить 80 нм, а на гнучких підкладках - 50 нм. Registration Date 2015-06-30 popup.nrat_date 2020-04-03 Close