Search academic texts

Information × Registration Number 0416U002383, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 20-05-2016 popup.evolution o Title Influence of polymorphism and defects on the electronic structure and photoelectric properties of tin chalcogenides Author Bletskan Mykhailo Mykhailovych, popup.head Grabar Oleksander Oleksiyovych popup.opponent Ажнюк Юрій Миколайович popup.opponent Стадник Василь Йосифович Description Дисертаційна робота присвячена дослідженню з перших принципів електронної структури, природи хімічного зв'язку відомих поліморфних фаз монохалькогенідів олова та сполук Sn2S3, PbSnS3, SnGeS3 зі змішаною валентністю катіонів. Проведено теоретико-груповий аналіз електронного спектра низько- і високотемпературних ромбічних фаз монохалькогенідів олова, який дозволив встановити симетрію хвильових функцій, отримати структури зонних зображень валентних зон і зон провідності, визначити актуальні позиції Викофа, проаналізувати появу давидівського розщеплення та встановити правила відбору для оптичних переходів. У рамках наближення суперкомірки проведено квантово-хімічне моделювання впливу власних точкових дефектів (вакансії в катіонній та аніонній підґратках) та домішок заміщення (M - Sn, M = P, Sb, Bi) на електронну структуру a-SnS. У легованих кристалах SnS:Sb виявлено явище самокомпенсації домішкових атомів сурми дворазово зарядженими вакансіями олова VSn, яке супроводжується різким зростанням питомого опору, появі фоточутливості та фотоерс. Встановлено кореляцію між умовами вирощування кристалів SnGeS3 та їх електричними і фотоелектричними властивостями. Registration Date 2016-05-20 popup.nrat_date 2020-04-03 Close