Search academic texts

Information × Registration Number 0416U005155, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 01-07-2016 popup.evolution o Title Radiation-stimulated processes in silicon transistor thermosensors Author Hrypa Andriy Serhiyovych, popup.head Pavlyk Bohdan Vasyl'ovych popup.opponent Лепіх Ярослав Ілліч popup.opponent Шпотюк Олег Йосипович Description Робота присвячена дослідженню та встановленню закономірностей змін основних електрофізичних характеристик кремнієвих транзисторних термосенсорів за дії радіаційного випромінювання, температури і релаксаційних процесів, а також розробці рекомендацій щодо підвищення їхньої радіаційної стійкості. Показано, що на початковій стадії опромінення поверхнева складова радіаційно-стимульованих змін домінує над об'ємною, коли переважаючими є процеси радіаційно-стимульованого "заліковування" наявних структурних дефектів в області p-n-переходу. Показано, що наявність вбудованого і прикладеного електричних полів сприяє просторовому розділенню носіїв заряду. Запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості транзисторних термосенсорів. Registration Date 2016-07-01 popup.nrat_date 2020-04-03 Close